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    DC-60 GHz硅基垂直互聯結構仿真設計
    所屬分類:技術論文
    上傳者:aetmagazine
    文檔大?。?span>747 K
    標簽: 三維集成 硅轉接板堆疊 垂直互聯結構
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    文檔介紹:設計了一種基于多層硅轉接板堆疊的垂直互聯結構,對DC-60 GHz頻段內不考慮和考慮硅表面SiO2層的兩種層間結構的垂直互聯仿真結果進行對比,證明了硅表面SiO2層存在會對諧振頻率及阻抗等射頻性能產生影響;對后者垂直互聯結構進行參數優化,射頻傳輸性能較好,頻率40 GHz以下時回波損耗S11小于-30 dB,60 GHz以下整體S11小于-15 dB,插入損耗S12在50 GHz以下大于-0.32 dB;研究了硅表面SiO2絕緣層厚度變化對射頻信號傳輸性能的影響,結果表明適當增加其厚度有助于垂直互聯結構性能優化。
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